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產(chǎn)品中心

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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心探測器Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器

產(chǎn)品簡介

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器
四種型號覆蓋波長范圍400-1700 nm
帶寬從1到5 GHz
上升時(shí)間從50 ps到1 ns
連接到單模(SM)或多模(MM)光纖
FC/PC光纖輸入接頭
SMA輸出接頭

產(chǎn)品型號:
更新時(shí)間:2025-10-25
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:185
詳細(xì)介紹在線留言

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器特點(diǎn):

四種型號覆蓋波長范圍400-1700 nm

帶寬從1到5 GHz

上升時(shí)間從50 ps到1 ns

連接到單模(SM)或多模(MM)光纖

FC/PC光纖輸入接頭

SMA輸出接頭

 

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器提供一系列光纖耦合,高速,高帶寬探測器,可以連接FC/PC單?;蚨嗄9饫w。這些探測器整體的靈敏范圍從可見到近紅外(400-1700 nm);請?jiān)诒?.2中查看每個(gè)探測器的準(zhǔn)確光譜范圍。本頁所有探測器都有GHz信號帶寬,和我們其它DET系列一樣使用簡單。這些探測器設(shè)計(jì)用于測試或測量應(yīng)用,包括數(shù)據(jù)通信、模擬微波和一般的高速光子學(xué)。對于自由空間探測,Thorlabs提供高速自由空間探測器。我們還提供一系列內(nèi)置偏壓光電二極管,它們與光纖耦合光電探測器一樣使用簡單,但是工作速度較慢。我們的偏壓光電探測器兼容臺式光電二極管放大器和PMT跨阻放大器。

這些光纖耦合探測器反向偏置,內(nèi)部有偏壓電池,對入射光產(chǎn)生線性響應(yīng)。為了保持高信號帶寬,信號通過SMA接頭輸出。Thorlabs提供全系列電子轉(zhuǎn)接件和電纜,包括SMA電纜和SMA轉(zhuǎn)BNC轉(zhuǎn)接件,方便在示波器或其它測量電子設(shè)備上監(jiān)測信號。

我們基于硅的光纖耦合探測器用于400到1100 nm波長范圍,帶寬可選1 GHz (#DET02AFC)或2 GHz (#DET025AFC)。對于擴(kuò)展到近紅外的應(yīng)用,可使用我們基于銦鎵砷(InGaAs)的光纖耦合探測器,其探測范圍從800到1700 nm,帶寬可選1.2 GHz (#DET01CFC)或5 GHz (#DET08CFC)。對于高速信號監(jiān)測,Thorlabs推薦使用50 Ω負(fù)載電阻。對于較低帶寬應(yīng)用,我們的可調(diào)終端連接頭或固定終端連接頭可以快速調(diào)節(jié)測量電壓。

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測器

Item # DET02AFC DET025AFC DET01CFC DET08CFC
Wavelength Range 400 - 1100 nm 400 - 1100 nm 800 - 1700 nm 800 - 1700 nm
Material Si Si InGaAs InGaAs
Bandwidth (-3 dB)a,b,c 1 GHz 2 GHz 1.2 GHz 5 GHz (Max)
Fiber Input FC/PC FC/PC FC/PCd FC/PC
Signal Output SMA SMA SMA SMA
Minimum Resistor Load 50 Ω 50 Ω 50 Ω 50 Ω
Maximum Peak Power 18 mW 18 mW 18 mW 100 mW
Saturation Power (CW) - - 5.5 mW (1550 nm)b -
Output Voltage 0 to 3.3 V (50 Ω)
0 to 10 V (Hi-Z)
2 V (Max)e 0 to 1 V (50 Ω)f
0 to 10 V (Hi-Z)
2 V (Max)e
Rise Time (tr)a,b,c 1 ns @ 730 nm (Max) 150 ps @ 653 nm, 20/80% (Typ.) < 1 nsg @ 1310 nm 70 ps @ 952 nm, 20/80% (Typ.)
Fall Time (tf)a,b,c 1 ns @ 730 nm (Max) 150 ps @ 653 nm, 80/20% (Typ.) < 1 nsg @ 1310 nm 110 ps @ 952 nm, 80/20% (Typ.)
Bias Voltage 12 V
Dark Current 126 pAh 35 pAa,h 0.235 nAa,h 1.5 nAa,h
NEP (Maximum) 9.5 x 10-15 W/√Hz
(@ 730 nm)
9.29 x 10-15 W/√Hz
(@ 730 nm)
4.5 x 10-15 W/√Hz
(@ 1550 nm)
2 x 10-15 W/√Hz
(@ 1550 nm)
Junction Capacitance 1.73 pF (Max) 1.73 pF (Max) 2.4 pF (Typical) 0.3 pF
Photodiode Element FDS02 FDS02 FGA01FC -
  • 使用規(guī)定的12 V偏壓測量。

  • 50 Ω負(fù)載

  • 電池電壓降低會使上升時(shí)間變長,帶寬減小。

  • 雖然這些探測器都有FC/PC輸入接頭,但我們的測試表明,它們也可以使用FC/APC光纖跳線,而且性能上沒有可測量到的差異。

  • 輸出電壓越大,帶寬越小。

  • 基于峰值響應(yīng)率和損傷閾值計(jì)算。

  • 我們生產(chǎn)的探測器經(jīng)測試可保證上升和下降時(shí)間。使用產(chǎn)品手冊4.6章或光電二極管教程標(biāo)簽里的公式計(jì)算的理論上升時(shí)間為292 ps。

  • 1 MΩ負(fù)載


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