單晶壓電陶瓷芯片和堆棧

特性

• 25 °C時(shí)，整個(gè)行程中具有小于3％的遲滯

• 單晶芯片：

• 安裝面尺寸：3.0 mm x 3.0 mm

• 驅(qū)動(dòng)電壓范圍：0 - 1000 V

• 推薦負(fù)載為24 N(5 lbs)

• 裸電極或帶銅箔引腳

• 分立式晶體堆棧：

• 安裝面尺寸：5.0 mm x 5.0 mm

• 驅(qū)動(dòng)電壓范圍：0 - 500 V

• 推薦負(fù)載為64 N(14 lbs)

• 帶引線

• 用于開環(huán)裝置

• 半球端帽和平面端板也可單獨(dú)購(gòu)買

Thorlabs的單晶壓電陶瓷芯片和晶體壓電陶瓷堆棧由鉛基晶體制成，此晶體顯示出高度線性運(yùn)動(dòng)，并具有低遲滯和蠕變，因此這些裝置非常適用于開環(huán)應(yīng)用或沒有定位控制的操作。每個(gè)晶體的頂部和底部印有電極。單晶芯片可選裸電極或預(yù)安裝銅箔引腳的版本。分立式堆棧由多個(gè)單晶芯片和銅板通過環(huán)氧樹脂粘合在一起組成，且堆棧的電極連接有引線。PQ91JKP3芯片和PQ9FC1堆棧帶有預(yù)安裝的平面陶瓷端板。

當(dāng)預(yù)載最大位移負(fù)載時(shí)，這些促動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)最大位移，下zhi定了每個(gè)產(chǎn)品的最大位移負(fù)載。每個(gè)產(chǎn)品型號(hào)的最大位移實(shí)際值各不相同，必須通過實(shí)驗(yàn)確定；但是，最大位移始終大于自由行程位移。更多信息請(qǐng)查看工作標(biāo)簽。

我們的單晶芯片的驅(qū)動(dòng)電壓范圍為0 - 1000 V，而壓電晶體堆棧的驅(qū)動(dòng)電壓范圍為0-500 V。每個(gè)芯片上的黑點(diǎn)表示正極。每個(gè)單晶堆棧都具有一根連接在其正極的紅色引線。

Thorlabs的壓電芯片采用專有人工智能算法進(jìn)行單獨(dú)檢測(cè)，以確保我們的壓電芯片、驅(qū)動(dòng)器和傳感器系列產(chǎn)品具有超高質(zhì)量。

為了適應(yīng)各種負(fù)載條件，可以購(gòu)買額外的平面陶瓷端板或半球陶瓷端帽作為這些芯片的配件。此外，Thorlabs提供錐形尾帽，可兼容直徑為3.0 mm和5.0 mm的球形接觸件。請(qǐng)查看工作標(biāo)簽，以獲取關(guān)于給壓電陶瓷促動(dòng)器連接負(fù)載、特殊的操作注意事項(xiàng)以及在已知其工作條件時(shí)估算這些促動(dòng)器壽命的數(shù)據(jù)等信息。

我們還提供定制尺寸的單晶壓電芯片。也可以定制兼容真空的芯片和堆棧。

單晶壓電陶瓷芯片和堆棧

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Item #	Info	Displacement (Free Stroke)a,b	Dimensions	Drive Voltage Range	Resonant Frequencya	Load for Maximum Displacementc	Blocking Forceb	External Electrodes	End Plates
PQ91JK		1.2 µm ± 15%	3.0 x 3.0 x 3.0 mm	0 - 1000 V	215 kHz ± 10%	24 N (5 lbs)	60 N (13 lbs)	Screen-Printed Silver	None
PQ91JKP3		1.2 µm ± 15%	3.0d x 3.0 x 4.3 mm	0 - 1000 V	185 kHz ± 10%	24 N (5 lbs)	60 N (13 lbs)	Copper Leads	PKJEP4 (2)

• 無(wú)負(fù)載

• 1000 V時(shí)

• 位移隨負(fù)載而變化。當(dāng)在此負(fù)載下使用時(shí)，這些芯片可達(dá)到最大位移，此位移大于自由行程位移。

• 包含電極的最大外部尺寸為5.5 mm。